2025년 09월 05일
Toshiba, 650V 3세대 SiC MOSFET 출시! 당신의 전력 시스템, 더 효율적으로!

Toshiba, 650V 3세대 SiC MOSFET 출시! 당신의 전력 시스템, 더 효율적으로!

토시바 전자 기기 & 저장 코퍼레이션(“토시바”)이 최신 3세대 SiC MOSFET 칩을 탑재한 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 세 가지 제품을 TOLL 패키지 형태로 출시했습니다. 이 새로운 장치는 전기차, 태양광 인버터, 산업용 전력 시스템 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 극대화하는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 기존 실리콘 MOSFET에 비해 SiC MOSFET는 더 높은 전압과 온도를 견딜 수 있으며, 더 빠른 스위칭 속도를 제공하여 에너지 손실을 줄일 수 있습니다.

특히, 이 TOLL 패키지 형태의 MOSFET는 전자파 차폐 기능으로 인해 외부 노이즈의 영향을 최소화하여 시스템의 안정성을 높여줍니다. 또한, TOLL 패키지는 소형화된 구조로 인해 시스템의 공간 활용도를 높여줍니다.

**이 혜택, 나도 받을 수 있다!**

**대상:** 전기차, 태양광 인버터, 산업용 전력 시스템 등 고전압, 고효율 전력 시스템 관련 제품 개발 및 생산 업체
**조건:** 650V 이상의 전압을 사용하는 전력 시스템에 적용
**신청 방법:** 토시바의 공식 웹사이트([출처: 원문 자료]) 또는 토시바의 대리점 통해 제품 주문 가능. 상세한 기술 사양 및 가격 정보는 해당 웹사이트에서 확인할 수 있습니다. 또한, 토시바는 고객의 요구에 따라 맞춤형 솔루션을 제공할 예정입니다.

**신청 시 유의할 점:**

* SiC MOSFET는 기존 실리콘 MOSFET보다 높은 냉각 성능을 요구할 수 있습니다.
* 최적의 성능을 위해서는 MOSFET의 동작 파라미터(드라이브 전류, 스위칭 시간 등)를 정확하게 설정해야 합니다.
* 제품의 기술 사양은 해당 웹사이트([출처: 원문 자료])에서 확인하시기 바랍니다.
* **기간:** 제품 출시부터 안정적인 공급이 가능하며, 향후 꾸준한 제품 라인업 확장이 예상됩니다.
* **장소:** 토시바는 전 세계 주요 지역에 기술 지원 센터를 운영하고 있습니다.